当前位置:文档下载 > 所有分类 > 工程科技 > 电子/电路 > 半导体厂猛攻覆晶封装
侵权投诉

半导体厂猛攻覆晶封装

半导体厂猛攻覆晶封装

半导体设备、封测厂今年将扩大高阶覆晶封装(Flip Chip)研发支出。随着半导体开始迈入3D IC架构,晶片封装技术也面临重大挑战,因此一线半导体设备厂、封测业者皆积极布局高阶覆晶封装,并改革相关技术、材料,期配合硅穿孔(TSV)制程发展,实现3D IC商用。

应用材料半导体事业群金属沉积产品全球产品经理欧岳生认为,半导体制程微缩须与封装技术同步演进,才能真正发挥效能提升、功耗锐减的效益。



应用材料(Applied Materials)半导体事业群金属沉积产品全球产品经理欧岳生表示,以往半导体封装技术的重要性不如製程演进,然而,随着晶片设计益趋复杂,所搭配的封装制程难度也同步提高;尤其步入2.5D/3D IC时代后,晶圆代工及封测业者为让晶片在不影响占位空间的前提下,顺利向上堆叠并协同运作,第一步就是要导入先进晶圆级封装(WLP)、覆晶封装技术,以打造优良的锡球下层金属(Under Bump Metallurgy, UBM)并巩固3D IC底层结构。

欧岳生指出,目前半导体产业陷入将3D IC与硅穿孔划上等号的迷思,认为只要该技术完备就能量产3D IC;但实际上,开发3D IC包含许多道工序,首先晶圆代工业者须完成晶圆薄化,并以硅穿孔制程凿穿晶圆进行堆叠,后续则须借重封测厂导入高阶覆晶封装,让铜柱(Pillar)、晶圆锡球(Bump)在更小的晶圆开孔中接合,并克服薄晶圆可靠度、应力和低介电材料损坏(Low K Damage)等问题,才能顺利将产品推向市场。

由此可见,封装技术之于3D IC制造,重要程度并不逊于硅穿孔制程,并将成为实现3D IC的临门一脚。欧岳生也透露,应用材料正携手台湾一线封测业者,透过其在新加坡设立的先进封装技术中心,积极提升半导体覆晶技术;同时也致力改良化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等设备,协助半导体制造商布局高阶制程与覆晶封装方案。

与此同时,因应薄晶圆制程在高温贴合或剥离聚合物(Polymer)时,常面临弯曲、不均匀等问题,应用材料也快马加鞭研发低温聚合物材料,以提高薄晶圆可靠度与稳定性,避免温度影响品质。

据市场研究机构Prismark预估,高阶覆晶封装产值可望从2011年的97亿2,


000万美元成长到2016年的157亿7,000万美元。现阶段,包括日月光、艾克尔(Amkor)、硅品和星科金朋(STATS ChipPAC)、力成等全球前五大封测厂,均开始冲刺高阶覆晶封装产能,2013年预期将再扩大资本支出,卡位28、20奈米(nm),以及3D IC封装市场商机。

第1页

免费下载Word文档免费下载:半导体厂猛攻覆晶封装

(下载1-1页,共1页)

猜你喜欢

返回顶部